葛󠄀原 正明Kuzuhara, Masaaki
- 専門分野
- 半導体工学、電子デバイス工学、数値シミュレーション
略歴
学歴・取得学位
京都大学 工学部 電気工学科 卒業（工学士）
京都大学大学院 工学研究科 電気工学専攻 修士課程 修了（工学修士）
京都大学 工学博士
主な職歴
日本電気（株）中央研究所 研究員
日本電気（株）マイクロエレクトロニクス研究所 主任
イリノイ大学 客員研究員
日本電気（株）関西エレクトロニクス研究所 研究課長
日本電気（株）関西エレクトロニクス研究所 研究部長
日本電気（株）光・無線デバイス研究所 研究部長
福井大学大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 教授
関西学院大学 理工学部 先進エネルギーナノ工学科 教授
関西学院大学 工学部 電気電子応用工学課程 教授
関西学院大学 工学部 理系学部研究員
大阪学院大学 情報学部 情報学科 教授
所属学会
応用物理学会（2013年以降フェロー会員）
米国IEEE（2005年以降フェロー会員）
電子情報通信学会（2009年以降シニア会員）
研究課題
トランジスタのオーミック領域のモデル化
トランジスタの高周波性能のシミュレーション
二次元ポアソン方程式解法の高速化の手法
半導体デバイスのモンテカルロシミュレーション
主な研究業績（著書・論文等）
| 著 書 | ||
| 「光・マイクロ波半導体応用技術」 | サイエンスフォーラム 第１節を執筆, pp.47-58 |
1996.02 |
|---|---|---|
| 「マイクロ波回路技術者および研究者のためのCADプログラム」 | ミマツデータシステム 分担執筆, pp.219-271 |
1998.04 |
| 「高周波半導体材料・デバイスの新展開」 | シーエムシー出版 分担執筆, pp.119-129 |
2006.11 |
| 「エコマテリアルハンドブック」 | 丸善株式会社 エレクトロニクス材料を分担執筆 | 2006.12 |
| 「パワーデバイス」 | 丸善株式会社 第1章、第2章、第5章を分担執筆 |
2009.10 |
| 論 文 | ||
| “Reduced gate leakage and high thermal stability of AlGaN/GaN MIS-HEMTs using ZrO2/Al2O3 gate dielectric stack” | Appl. Phys. Express, Vol.7, 044101, M. Hatano et al. | 2014.03 |
| “Low-Loss and High-Voltage III-Nitride Transistors for Power Switching Applications” | IEEE Trans. Electron Devices, Vol.62, pp. 405-413, M. Kuzuhara et al. | 2015.02 |
| “AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor technology for high-voltage and low-on-resistance operation” | Jpn. J. Appl. Phys., Vol.55, 070101, M. Kuzuhara et al. | 2016.06 |
| “Analytical derivation of interface state density from sub-threshold swing in AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors” | Jpn. J. Appl. Phys., Vol.56, 104101, H. Tokuda et al. | 2017.09 |
| “Impact of rounded electrode corners on breakdown characteristics of AlGaN/GaN high-electron transistors” | Appl. Phys. Express, Vol.11, 054102, T. Yamazaki et al. | 2018.04 |
| “Influence of reactive-ion-etching depth on interface properties in Al2O3/n-GaN MOS diodes” | Jpn. J. Appl. Phys. Vol.58, 106503, H. Tokuda et al. | 2019.09 |
| “Enhancement-mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs with high Vth and high IDmax using recessed-structure with regrown AlGaN barrier” | IEEE Electron Device Lett., Vol.41, pp. 693-696, J. T. Asubar et al. | 2020.05 |
| “Stoichiometric imbalances in Mg-implanted GaN” | Jpn. J. Appl. Phys., Vol.60, 066504, K. C. Herbert et al. | 2021.06 |
| “Evidence of reduced interface states in Al2O3/AlGaN MIS structures via insertion of ex situ regrown AlGaN layer” | Appl. Phys. Express, Vol.15, 104002, A. Baratov et al. | 2022.09 |
| “Low thermal budget V/Al/Mo/Au ohmic contacts for improved performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs” | Jpn. J. Appl. Phys., Vol.62, 110905, A. Baratov et al. | 2023.11 |
| “Effect of ultra-thin AlGaN regrown layer on the electrical properties of ZrO2/AlGaN/GaN structures” | Phys. Stat. Sol. A, Vol.221, 2400073, T. Nezu et al. | 2024.04 |
| “Comparison of electrical characteristics of Schottky-gate AlGaN/ GaN HEMTs using for V-based and Ti-based ohmic contacts” | Micro and Nanostructure, Vol.208, 208387, T. Igarashi et al. | 2025.10 |
主な社会的活動等
市村産業賞功績賞受賞「携帯電話端末用ヘテロ接合FETの開発と実用化」2002.04
福井県科学学術大賞受賞「窒化物半導体トランジスタにおける電圧分散型電極構造の研究」2016.02
応用物理学会APEX/JJAP編集委員（2004-2020）
電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員長（2007-2009）
国際会議TWHM大会委員長（2009-2011）
海洋インバースダム協会 理事（2024-現在）
講義など協力可能なテーマ
半導体とは、トランジスタの動作、携帯電話のしくみ、無線電力伝送、電子デバイス、コンピュータ・シミュレーション